आयन प्रत्यारोपण के बाद मैं मसूड़े कैसे हटाऊं?

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आईसी प्रक्रिया में आयन प्रत्यारोपण की क्या भूमिका है?

आयन आरोपण मुख्य रूप से ट्रैप्स (WELL), कम-डोप्ड डिपोर्ट (LDD), और भारी डोप्ड क्षेत्रों (P+/N+) का निर्माण है।

2. आयन प्रत्यारोपण के बाद फोटोरेसिस्ट को हटाना कठिन क्यों है?

आयन प्रत्यारोपण के दौरान, फोटोरेसिस्ट पर उच्च-ऊर्जा आयनों की बमबारी की जाती है, जिनकी ऊर्जा फोटोरेसिस्ट की आणविक श्रृंखला में रासायनिक बंधनों को तोड़ सकती है, जिससे ये अणु क्रॉस-लिंक हो जाते हैं और अधिक स्थिर रासायनिक संरचना बनाते हैं। इस क्रॉस-लिंकिंग के परिणामस्वरूप फोटोरेसिस्ट की सतह पर एक कठोर परत बन जाती है, जिसे हटाना अधिक कठिन हो जाता है।
3. गोंद हटाने के कुछ सबसे प्रभावी तरीके क्या हैं?
O2 प्लाज्मा ऐशिंग और गीले संयोजन की विधि अपनाई जाती है। फोटोरेसिस्ट हार्ड शेल की सतह पर O2 प्लाज्मा से बमबारी करके "ताजा" फोटोरेसिस्ट को उजागर किया जा सकता है, और फिर फोटोरेसिस्ट और परिणामी कणों को SPM और RCA के साथ हटाया जा सकता है।

एसपीएम: सांद्रित सल्फ्यूरिक एसिड + हाइड्रोजन पेरोक्साइड; आरसीए1: अमोनिया + हाइड्रोजन पेरोक्साइड; आरसीए2: हाइड्रोक्लोरिक एसिड + हाइड्रोजन पेरोक्साइड

बेशक, इसे ओजोन जल से भी साफ किया जा सकता है।

हालाँकि, O2 प्लाज्म चिप की सतह पर सिलिकॉन को थोड़ी मात्रा में नुकसान पहुँचाएगा, और सिलिकॉन के नुकसान को लो-एंड प्रक्रिया (नोड < 65nm) में नहीं माना जाता है। जब हाई-एंड प्रक्रिया बनाई जाती है, तो इसे गीली प्रक्रिया का उपयोग करके पूरी तरह से हटाने की आवश्यकता होती है।

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